地 址：長(zhǎng)沙湘江新區(qū)文軒路27號(hào)麓谷企業(yè)廣場(chǎng)A3棟3單元6樓經(jīng)歷2016年閃存顆粒制程的“尷尬”后，在已然到來(lái)的2017年，各大存儲(chǔ)大廠紛紛加緊研發(fā)3D NAND技術(shù)，以期在新的技術(shù)革命周期當(dāng)中，能夠在閃存市場(chǎng)取得先機(jī)，從而搶奪更多的市場(chǎng)份額。
日前，來(lái)自韓國(guó)的閃存大廠SK海力士，向媒體透露，即將在2017年正式推出第四代3D NAND技術(shù)，并且量產(chǎn)基于72層堆疊的3D NAND閃存顆粒。
而就在此消息曝出不久，近日另一家來(lái)自美國(guó)的閃存大廠鎂光也向媒體透露，預(yù)計(jì)在2017年年底，正式量產(chǎn)基于64層堆疊的新一代3D NAND技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)單晶顆粒的容量提升80%，成本減少30%的目的。
除此之外，鎂光還表示，鑒于第一代QuantX的產(chǎn)品容量小，且讀寫水平僅僅持平三星的960 PRO，并沒(méi)有達(dá)到Intel標(biāo)稱的10倍現(xiàn)今SSD的性能，鎂光正在加緊研究二代、三代的QuantX（即3D Xpoint技術(shù)，鎂光內(nèi)部稱呼為 QuantX）。